[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-8] 結晶方位の異なるSi基板上に成長させたSnO薄膜の評価

〇辛 佳和¹、池田 琉晟¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：

一酸化スズ、p型酸化物半導体、層状構造