講演情報
[9p-PA2-33]水溶性犠牲層を用いたフリースタンディング Fe(Se,Te)/SrTiO₃の作製
〇(M1)田中 俊輔1、尾崎 壽紀2、マルティネリ アルベルト3、ワルター カイ4、ヘーニッシュ イェンツ4、飯田 和昌1 (1.日大、2.関西学院大、3.CNR-SPIN、4.カールスルーエ工科大)
キーワード：
鉄系超伝導体、フリースタンディング薄膜、水溶性犠牲層
基板から分離したフリースタンディング薄膜は、基礎物性研究およびデバイス応用の両面
から注目を集めている．本研究では、水溶性犠牲層Sr₃Al₂O₆およびSr₄Al₂O₇を用いて、鉄系
超伝導体Fe(Se,Te)のフリースタンディング薄膜の作製を試みた．X線回折測定の結果、剥
離後も結晶構造および結晶配向性が維持されていることを確認した．当日はSr₄Al₂O₇を用
いた剥離実験の結果についても報告する.
から注目を集めている．本研究では、水溶性犠牲層Sr₃Al₂O₆およびSr₄Al₂O₇を用いて、鉄系
超伝導体Fe(Se,Te)のフリースタンディング薄膜の作製を試みた．X線回折測定の結果、剥
離後も結晶構造および結晶配向性が維持されていることを確認した．当日はSr₄Al₂O₇を用
いた剥離実験の結果についても報告する.