講演情報
[9p-PA2-45]表面活性化接合によるFAB処理時間のバンプ電極品質への寄与
〇小沢 みゆき1、川上 茂1、田渕 豊1 (1.理研RQC)
キーワード：
超伝導量子コンピューター、バンプ電極
超伝導量子回路の三次元積層による素子の高集積化が期待されている。本研究ではAl-Inフリップチップ接合においてFAB処理時間の影響を評価した。照射時間の増加により酸化膜除去と表面活性化が進み接合抵抗は低減したが、長時間照射では再デポジションに起因すると考えられる界面劣化により抵抗のばらつきが顕在化した。短照射時間・長照射時間における不良化箇所の分析を通じ、プロセスパラメータの改善について議論する。