講演情報
[9p-PB2-1]赤外線集中加熱浮遊帯域溶融法による極低酸素濃度シリコン単結晶の育成
〇佐藤 剛1、川井 康平1、江本 大輝2、丸山 祐樹2、長尾 雅則2、綿打 敏司2 (1.(株)カーリット、2.山梨大学クリスタル研)
キーワード：
シリコン単結晶、FZ法、赤外線FZ法
従来、シリコン単結晶育成にはCZ法やキャスト法、高周波FZ法、磁場印加CZ法などが用いられてきた。近年のパワーデバイスや赤外線光学素子には低酸素シリコンが必要であり、坩堝を用いない高周波FZ法が適用されているが、高緻密原料棒やコストに課題がある。本研究では、坩堝レスで赤外線照射により融解する赤外線集光加熱浮遊帯域溶融法を用いてシリコン単結晶を育成し、酸素濃度、透過率、ライフタイムを評価した。