[9p-PB4-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[9p-PB4-1] 第一原理計算とベイズ最適化によるGeSnCの安定原子配置探索

〇(M1C)辻 涼顕¹、小澤 幸司¹、竹田 伊織¹、別宮 響¹、濱本 雄治²、末岡 浩治² (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県立大情報工)

キーワード：

半導体、IV-IV族混晶半導体、GeSnC

GeSnはSn組成が約10%以上で直接遷移型半導体となるため光デバイス応用が期待されるが、Ge中のSn固溶度は低い。本研究では、Snによる圧縮歪みを緩和するCを同時添加したGeSnC混晶を対象に、DFTとナイーブベイズを用いたベイズ最適化を組み合わせて安定な原子配置を効率的に探索した。さらにエネルギーバンド構造を計算し、C添加によるバンドギャップ変化や電子状態への影響を調査した。