セッション詳細
[9p-PB4-1~7]15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
2026年9月9日(水) 14:00 〜 15:30
PB4 (第2体育館)
[9p-PB4-1]第一原理計算とベイズ最適化によるGeSnCの安定原子配置探索
〇(M1C)辻 涼顕1、小澤 幸司1、竹田 伊織1、別宮 響1、濱本 雄治2、末岡 浩治2 (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県立大情報工)
[9p-PB4-2]DFT+GAシミュレーションによるSiSn安定構造探索と物性評価
〇別宮 響1、末岡 浩治2、野田 祐輔3,4 (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工、3.九工大院情報工、4.九工大 DS・AI 研究センター)
[9p-PB4-3]Ge薄膜中のSn添加に与えるGaSb基板の影響
〇小澤 幸司1、辻 涼顕1、竹田 伊織1、別宮 響1、濱本 雄治2、末岡 浩治2 (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工)
[9p-PB4-4]スパッタリング法によるSbドープGeSn薄膜の作製と評価
〇(M2)吉田 健琉1、石川 諒2,3,4 (1.阪大院工、2.アルバック協働研、3.阪大OTRIスピン、4.阪大CSRN)
[9p-PB4-5]高感度・高速動作に向けたSWIR波長帯におけるGeSnフォトディテクタの構造最適化
〇(M1)廣瀬 汐音1、廣川 昌之介1、塚本 貴広1 (1.電通大)
[9p-PB4-6]高圧熱処理およびMgO挿入が非晶質Geの低温固相成長に及ぼす影響
〇(B)本田 智也1、淵脇 悠史1、山田 晴己1、高倉 健一郎1、佐道 泰造2、角田 功1 (1.熊本高等専門学校、2.九州大学)
[9p-PB4-7]絶縁基板上のGeワイヤ配向成長への水素プラズマ処理の影響
〇小林 信一1 (1.東京工芸大工)