講演情報
[9p-PB4-4]スパッタリング法によるSbドープGeSn薄膜の作製と評価
〇(M2)吉田 健琉1、石川 諒2,3,4 (1.阪大院工、2.アルバック協働研、3.阪大OTRIスピン、4.阪大CSRN)
キーワード：
GeSn、スパッタ
近年、AI技術の急速な発展やIoTデバイスの普及に伴い、高情報密度化および低消費電力化を両立する次世代半導体デバイスの開発が注目されている。そのデバイス実現において、優れた光学特性を持つ材料としてGeが注目されている。Geは、歪みの印加やSnの添加により直接遷移化が可能であり、高い発光効率が予想されている。さらに、スピン偏極電流の注入源と組み合わせることでスピンLEDへの応用も期待されている。これらの発光素子を実現する上で、直接遷移化したGeSnのp型およびn型制御によるpn接合の形成は不可欠である。産業応用に適した成膜手法としてスパッタリング法が挙げられるが、この手法を用いたGeSn薄膜へのn型ドーピング技術やその電気的特性についてはまだ十分に調べられていない。そこで本研究では、スパッタリング法を用いて、SbをドープしたGeSn薄膜を作製した。