講演情報
[9p-PB4-7]絶縁基板上のGeワイヤ配向成長への水素プラズマ処理の影響
〇小林 信一1 (1.東京工芸大工)
キーワード：
ゲルマニウム、ワイヤ成長、プラズマCVD
プラズマCVDを用いたAuを触媒とするVLS成長法により、石英基板上にGe薄膜と垂直配向Geワイヤを同時に作製し、両者において結晶化を確認した。また、VLS成長時の基板温度（TVLS）に加え、VLS成長前の水素プラズマ処理温度（TH-plasma）がワイヤ成長に大きく影響することを見出し、高TH-plasmaかつ低TVLSが高配向・高密度Geワイヤの成長条件であることを明らかにした。今回は水素プラズマ照射時間がワイヤ成長に与える影響を検討する。