[9p-PB5-1~3] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[9p-PB5-2] PL-Ramanコロケーション解析によるHVPE-GaN基板中局所欠陥の応力場評価

〇美里劫 織雅¹、浅田 敏広¹ (1.（株）日産アーク)

キーワード：

半導体、欠陥、応力場

本研究では、共焦点ラマン分光とフォトルミネッセンス（PL）測定を同一領域で実施し、HVPE-GaN基板中の局所欠陥における応力場と発光特性の相関、および深さ方向の応力分布を評価した。