[9p-PB5-1~3] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[9p-PB5-3] イオン注入で作製したGaP:NのX線回折およびフォトルミネッセンスによる評価

〇(M1)松本 優世¹、Rashid Md. Mamun-Or¹、矢口 裕之¹、八木 修平¹ (1.埼玉大学理工学研究科)

キーワード：

Ⅲ-Ⅴ族化合物窒化物半導体、太陽電池、イオン注入