講演情報
[9p-S1-7]軌道流型磁気メモリの実証に向けた層状窒化物薄膜の創成
〇磯上 慎二1 (1.物材機構)
キーワード：
二次元物質、層状窒化物薄膜、磁気メモリデバイス
窒化クロムCr2Nマキシン薄膜は，反応性スパッタリング法で成長可能な珍しい二次元物質である．また650℃程度まで窒素が脱離しない高い相安定性を有する．磁性膜との磁気メモリデバイスの作製に成功し，磁場フリー磁化反転の臨界電流密度が，従来のW/CoFeBデバイスに匹敵すること等の特性を見出した．本成果は，Cr2Nマキシンをプロトタイプとして，層状窒化物薄膜が広く軌道流型デバイス創成の基幹材料となる可能性を示唆するものである．