[9p-S5-1~12] 3.5 超高速・高強度レーザー

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[9p-S5-10] 過剰ドープBi系銅酸化物における臨界的過渡反射率応答の観測

〇(M1)飛世 怜史¹、清水 大成¹、黒澤 徹¹、土屋 聡¹、戸田 泰則¹ (1.北大院工)

キーワード：

ポンププローブ分光、超伝導、量子臨界点

銅酸化物高温超伝導体における擬ギャップ終端点近傍には量子臨界点の存在が複数の研究で示唆されているが、確定的な結論には到達していない。本研究では、過剰ドープ(Bi,Pb)₂Sr₂CuO_6+δ (Pb-Bi2201)に対し時間分解ポンププローブ分光を行い、準粒子励起の緩和時間において量子臨界点近傍で期待される臨界的べき乗則温度依存性を示すことを見出した。