セッション詳細
[10a-E215-1~10]CS.10 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション
2026年9月10日(木) 9:00 〜 11:45
E215 (総合教育棟 E棟)
座長:小川 修一(日大)、 牧原 克典(名大)
[10a-E215-1]酸化グラフェン膜の層間挿入分子種が Moisture 発電特性に与える影響
〇北澤 善1、石部 貴史1、寺田 吏1、小林 英一2、中村 芳明1 (1.阪大院基礎工、2.九州シンクロトン光研究センター)
[10a-E215-2]ワイル半金属B20型CoGe薄膜のSi基板上エピタキシャル成長とその熱電特性
〇道端 亜澄1、寺田 吏1、石部 貴史1、山下 雄一郎2、成瀬 延康3、鈴木 雄大4 (1.阪大院基礎工、2.産総研、3.滋賀医科大、4.新居浜高専)
[10a-E215-5]Orbital Electronic Structure and NH3 Sensing Mechanism in CoPc–Graphene System
〇(M1)Yunzhuo QU1 (1.Tokyo Univ.)
[10a-E215-6]DFT計算を援用したW-RHEED解析法によるSi(110)3×2β-Sb造の決定
〇Li Boxuan1、虻川 匡司1,2 (1.東北大多元研、2.東北大学 SRIS)
