セッション詳細

[10a-E215-1~10]CS.10 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

2026年9月10日(木) 9:00 〜 11:45
E215 (総合教育棟 E棟)

[10a-E215-1]酸化グラフェン膜の層間挿入分子種が Moisture 発電特性に与える影響

〇北澤 善1、石部 貴史1、寺田 吏1、小林 英一2、中村 芳明1 (1.阪大院基礎工、2.九州シンクロトン光研究センター)

[10a-E215-2]ワイル半金属B20型CoGe薄膜のSi基板上エピタキシャル成長とその熱電特性

〇道端 亜澄1、寺田 吏1、石部 貴史1、山下 雄一郎2、成瀬 延康3、鈴木 雄大4 (1.阪大院基礎工、2.産総研、3.滋賀医科大、4.新居浜高専)

[10a-E215-3]X線光電子分光による酸化グラフェン上の白金ナノクラスターの結合状態解析

〇内潟 風翔1、細川 優実1、吉岡 智照1、山崎 憲慈1 (1.北大院工)

[10a-E215-4]Auナノ粒子担持p型GaN触媒におけるCO2分子の吸脱離挙動の研究

〇由上 航大1、野口 尚輝1、内田 建1、豊島 遼1 (1.東大院工)

[10a-E215-5]Orbital Electronic Structure and NH3 Sensing Mechanism in CoPc–Graphene System

〇(M1)Yunzhuo QU1 (1.Tokyo Univ.)

[10a-E215-6]DFT計算を援用したW-RHEED解析法によるSi(110)3×2β-Sb造の決定

〇Li Boxuan1、虻川 匡司1,2 (1.東北大多元研、2.東北大学 SRIS)

[10a-E215-7]高密度Siナノドット集積構造における二次元電子輸送特性

〇窪田 遥斗1、白 鍾銀1、今井 友貴1、牧原 克典1 (1.名大院工)

[10a-E215-8]2次元多層構造におけるプラズモンによる電子線の非弾性散乱理論

〇市川 昌和1 (1.東大院工)

[10a-E215-9]一般化エレクトロンカウンティング則の構築とその酸化物半導体表面への適用

〇秋山 亨1,2、河村 貴宏1,2 (1.三重院工、2.三重大学ICSDF)

[10a-E215-10]L-Lysine修飾Au電極によるCO2の捕捉および電解還元

〇伊藤 未希雄1、乙成 花楓1、野口 秀典2 (1.東京高専、2.物材機構)