セッション詳細
[8p-A33-1~7]17.2 基礎物性
2026年9月8日(火) 14:00 〜 15:45
A33 (情報研究棟)
座長:岩切 秀一(物材機構)
遷移金属ダイカルコゲナイドのヘテロ構造に由来する新規物性探索ならびにガスセンサ応用等の展開に加え、層状物質(SnS, InSe2, GeAs等)のプロセス技術、物性評価に関する最新研究成果の発表
[8p-A33-2]ねじれ3層遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるモアレ超格子の電場変調
〇相澤 あき1、中辻 直人2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、欧 昊1、蒲 江1 (1.科学大理、2.Stony Brook Univ.、3.NIMS)
[8p-A33-3]Layer dependence of Polarity of Gas-sensing Response in MoS2/MoOx heterostructure
〇(D)Yuxiang Shen1, Ryo Toyoshima1, Ken Uchida1 (1.Eng., UTokyo)
[8p-A33-5]マイクロ波共振器を用いたファンデルワールス超伝導体劈開試料の慣性インダクタンス測定
〇石井 智博1、田中 未羽子2、西尾 祐希人1、六本木 雅生4、Yangsong Chen1、石原 滉大3、芝内 孝禎3、渡邊 賢司5、谷口 尚5、井手上 敏也2 (1.東大院工、2.東大物性研、3.東大新領域、4.理化学研究所、5.NIMS)
