セッション詳細
[8p-A33-1~7]17.2 基礎物性
2026年9月8日(火) 14:00 〜 15:45
A33 (情報研究棟)
[8p-A33-1]二次元半導体ヘテロ構造におけるコヒーレント量子光学効果の観測
〇俣野 眞一朗1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、松田 一成1 (1.京大エネ研、2.物質・材料研究機構)
[8p-A33-2]ねじれ3層遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるモアレ超格子の電場変調
〇相澤 あき1、中辻 直人2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、欧 昊1、蒲 江1 (1.科学大理、2.Stony Brook Univ.、3.NIMS)
[8p-A33-3]Layer dependence of Polarity of Gas-sensing Response in MoS2/MoOx heterostructure
〇(D)Yuxiang Shen1, Ryo Toyoshima1, Ken Uchida1 (1.Eng., UTokyo)
[8p-A33-4]層状IV-V族化合物GeAs表面の熱酸化条件の検討
〇花井 健将1、橋本 佳男1、浦上 法之1 (1.信州大工)
[8p-A33-5]マイクロ波共振器を用いたファンデルワールス超伝導体劈開試料の慣性インダクタンス測定
〇石井 智博1、田中 未羽子2、西尾 祐希人1、六本木 雅生4、Yangsong Chen1、石原 滉大3、芝内 孝禎3、渡邊 賢司5、谷口 尚5、井手上 敏也2 (1.東大院工、2.東大物性研、3.東大新領域、4.理化学研究所、5.NIMS)
[8p-A33-6]α相セレン化インジウムの面外方向におけるバルク光起電力効果
〇斉藤 花奈1、橋本 佳男1、浦上 法之1 (1.信州大工)
[8p-A33-7]偏光フォトリフレクタンス測定によるSnSの直接遷移エネルギーの決定
〇川西 咲子1,2、鈴木 一誓2、小俣 孝久2、寺井 慶和3 (1.京大、2.東北大、3.九工大)
