講演情報
[8p-A33-7]偏光フォトリフレクタンス測定によるSnSの直接遷移エネルギーの決定
〇川西 咲子1,2、鈴木 一誓2、小俣 孝久2、寺井 慶和3 (1.京大、2.東北大、3.九工大)
キーワード：
二次元材料、硫化スズ、フォトリフレクタンス
SnSは面内光学異方性を有する二次元材料であるが、直接遷移を生じる臨界点E1およびE2のエネルギーには大きな報告差が存在する。本研究ではSnSに対して初めて偏光フォトリフレクタンス測定を実施し、各臨界点のシグナルを分離することで、E1およびE2の直接遷移エネルギーとその温度依存性を高精度に決定した。