講演情報
[B-4-37]GHz 帯における模擬DUT 内部へのEMC ストレス比較評価
〇伊藤 寛輝1、荒井 篤志2、杉本 久憲3、鵜生 高徳4、矢野 佑典5 (1. (株)アイシン、2. (株)東陽EMCエンジニアリング、3. 一般社団法人ＫＥＣ関西電子工業振興センター、4. (株)デンソーEMCエンジニアリングサービス、5. 名古屋工業大学)
キーワード：
ISO 11452-2、ISO 11452-11、車載電子部品、ストレス比較、GHz帯、イミュニティ試験、EMS
本評価では，車載電子機器の放射イミュニティ試験に用いられるALSE法（ISO 11452-2）とRVC法（ISO 11452-11）について，GHz帯における模擬DUT内部への電磁ストレスの差異を比較評価した．空隙を有する金属筐体と内部の模擬PCBからなるDUTを構成し，(1～6) GHzの範囲で妨害波を印加した際に誘起される電圧を測定した．VNAによる透過特性測定および電界校正データを用いて，両試験法における100 V/m印加時の誘起電圧を算出し比較した．その結果， 2 GHz以上ではRVC法がALSE法に比べ平均7.73 dB高いストレスを与えることが確認された．さらに模擬DUTの受信特性を解析したところ，ALSE法でのアンテナ方向とDUTの最大結合方向の不一致が高周波帯で顕著となる事が確認された．以上より，高周波帯においてALSE 法は照射アンテナ方向に依存するのに対して，RVC 法ではあらゆる方向からの影響を模擬できると考えられる．