講演情報
[C-12-26]テイルインダクタによる波形整形を用いた低消費電力CMOS注入同期型周波数分周器
△荒井 アアロン1、高野 恭弥1 (1. 東京理科大)
キーワード：
RF回路、注入同期型周波数分周器、CMOS、FR3
近年、広帯域かつ長距離通信が可能なFR3帯域が6G通信向け周波数帯として検討されている。無線通信における搬送波生成には位相同期回路（Phase-Locked Loop: PLL）が広く用いられており、FR3帯域で動作可能なPLLおよびその構成要素である周波数分周器の実現が求められている。高周波動作が可能な注入同期型周波数分周器（Injection-Locked Frequency Divider: ILFD）は、分周可能な周波数範囲（ロッキングレンジ）の拡大および低消費電力化が課題である。本論文では、共振回路のQ値を低く設定することでロッキングレンジを確保しつつ、テイルインダクタによる波形整形を活用して消費電力を軽減する回路を提案する。0.18 μm CMOSプロセスを用いた提案回路のシミュレーション結果より、ロッキングレンジ7〜14.5 GHz（比帯域69.8%、入力電力0 dBm時）およびコア消費電力2.5 mWの軽減を達成した。