講演情報
[C-2A-06]5G大規模MIMO基地局用7GHzGaNドハティ増幅器モジュール
◎石田 凪斗1、齋木 研人1、嘉藤 勝也1、山口 裕太郎1、坂田 修一1 (1. 三菱電機株式会社)
キーワード：
GaN HEMT、ドハティ電力増幅器、5G、デジタルプリディストーション、大規模MIMO
増大するデータ通信量に対して，移動通信システムには高速・大容量化が求められる．WRC-23では6.425~7.125 GHz帯がUpper FR1として割り当てられた．また，7.125~8.4 GHz帯をLower FR3として割り当てる検討も進められている．これらの周波数帯に対応したドハティ増幅器が求められている．
SMD部品と積層基板によるマルチチップ構成での従来手法では，高周波化に伴いボンドワイヤのリアクタンスおよび寄生容量の影響が大きくなるため，ドハティ動作を成立させるための設計条件が厳しく制限される．本報告では，主増幅器側の寄生容量の一部を補償しないことで領域を拡大する手法を提案する．さらに，この手法を用いて2段GaNドハティ増幅器モジュールを設計、試作した結果を報告する。
SMD部品と積層基板によるマルチチップ構成での従来手法では，高周波化に伴いボンドワイヤのリアクタンスおよび寄生容量の影響が大きくなるため，ドハティ動作を成立させるための設計条件が厳しく制限される．本報告では，主増幅器側の寄生容量の一部を補償しないことで領域を拡大する手法を提案する．さらに，この手法を用いて2段GaNドハティ増幅器モジュールを設計、試作した結果を報告する。