[C-3_C-4] 光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス

9:45 〜 10:00学術奨励賞候補対象

[C-3_C-4-03] SOI基板上異種材料/MEMS統合集積に向けたMEMS波長制御デバイスにおけるプロセスの検討

◎櫻井 大生¹、土屋 良重²、中村 恵太¹、大磯 義孝¹、Yao Kaibin¹、Chen Haoyu¹、Moataz Eissa¹、堀川 剛¹、川原 啓輔¹、西山 伸彦^1,3 (1. 東京科学大、2. サザンプトン大、3. 東京科学大学次世代半導体エコシステム共創センター)

キーワード：

集積光デバイス

近年、AI・IoTサービスの普及に伴い光集積回路への性能要求が高まっている。我々はこれまで異種材料集積技術に加え、光集積回路の高機能化に向けた同技術と光MEMS技術を統合するプロセスを提案してきた。本報告では、SOI基板上でのセルフアライン2段エッチングおよび、Al₂O₃を用いたエッチングストップ層を導入したMEMS型波長制御デバイス作製プロセスを検討し、その要素プロセスの実証結果を報告する。