[C-3_C-4] 光エレクトロニクス/レーザ・量子エレクトロニクス

8:45 〜 9:15

[C-3_C-4-10] 超 200 Gbaud 級 InGaAs/InP 反転型フォトダイオード

〇中島 史人¹、山田 友輝¹ (1. NTT株式会社)

キーワード：

フォトダイオード、高速

フォトダイオードの高速化には素子の小型化が必要であり、受光感度減少や電流密度上昇による信頼性劣化などが課題となる。基板側に p 型半導体を設けることを特徴としたInGaAs/InP 反転型構造を基本として、超 200 Gbaud 級の高速動作と 0.55A/W(O 帯)の高感度性を併せ持つ垂直入射型のフォトダイオードを実現した。