[C-3_C-4] 光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス

9:30 〜 9:45

[C-3_C-4-31] 容量装荷型進行波電極を用いたIII-V薄膜/Si MOS型マッハツェンダ変調器の広帯域動作

〇田中 肇¹、糟谷 直孝^1,2、小松 憲人¹、井上 尚子¹、菊地 健彦^1,3、御手洗 拓矢^1,3、木村 峻¹、藤原 直樹¹、西山 伸彦³、竹中 充²、八木 英樹¹ (1. 住友電工、2. 東京大、3. 東京科学大)

キーワード：

変調器、III-V族、MOS型、シリコン

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