講演情報
[C-3_C-4-31]容量装荷型進行波電極を用いたIII-V薄膜/Si MOS型マッハツェンダ変調器の広帯域動作
〇田中 肇1、糟谷 直孝1,2、小松 憲人1、井上 尚子1、菊地 健彦1,3、御手洗 拓矢1,3、木村 峻1、藤原 直樹1、西山 伸彦3、竹中 充2、八木 英樹1 (1. 住友電工、2. 東京大、3. 東京科学大)
キーワード：
変調器、III-V族、MOS型、シリコン
我々は，送信機のキーデバイスであるマッハツェンダ型（MZ）変調器にInP小片/SOIウェハ接合による異種材料集積技術とMetal-oxide-semiconductor (MOS)型構造を用いることで，高効率変調を実現してきた．今回，高速化に向けて，MOS型MZ変調器に容量装荷型進行波電極を採用し，電気-光応答(EO)の広帯域化を実現したので，報告する．