[C-3_C-4] Optoelectronics / Lasers and Quantum Electronics

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[C-3_C-4-31] High-bandwidth operation of III-V membrane/Si MOS type Mach-Zehnder modulators using capacitively-loaded travelling-wave electrodes

〇Hajime Tanaka¹, Naotaka Kasuya^1,2, Kento Komatsu¹, Naoko Inoue¹, Takehiko Kikuchi^1,3, Takuya Mitarai^1,3, Shun Kimura¹, Naoki Fujiwara¹, Nobuhiko Nishiyama³, Mitsuru Takenaka², Hideki Yagi¹ (1. Sumitomo Electric Industries, Ltd., 2. The University of Tokyo, 3. Science Tokyo)

Keywords:

Modulator,III-V,MOS type,Silicon

我々は，送信機のキーデバイスであるマッハツェンダ型（MZ）変調器にInP小片/SOIウェハ接合による異種材料集積技術とMetal-oxide-semiconductor (MOS)型構造を用いることで，高効率変調を実現してきた．今回，高速化に向けて，MOS型MZ変調器に容量装荷型進行波電極を採用し，電気-光応答(EO)の広帯域化を実現したので，報告する．