講演情報
[C-3_C-4-33]電極実測に基づく水晶基板上a-Si装荷TFLN光変調器の300-Gbps伝送解析
◎三浦 和也1、川原 啓輔1、堀川 剛1、Moataz Eissa1、大礒 義孝1、矢島 隆雅2、片桐 佳来2、西山 伸彦1,3 (1. 東京科学大学工学院 電気電子系、2. NGK株式会社、3. 次世代半導体エコシステム共創センター)
キーワード：
光変調器、薄膜ニオブ酸リチウム、スローウェーブ電極、水晶基板、等価回路モデル
マルチTb/s級の光インターコネクションに対応する次世代デバイスとして薄膜ニオブ酸リチウム（TFLN）光変調器が期待されている．しかし，従来のLN変調器はVπLが高く移相器長がcm級となる上，エッチングによる微細加工が困難であった．これに対し我々は，強い横方向光閉じ込めを実現するa-Si装荷型構造を提案し，LNエッチングを必要としない導波路形成を実証した．さらに，前報では，櫛字型スローウェーブ電極を用いて，比較的高い群屈折率（ng = 3.0）の導波光に対する速度整合、及びインピーダンス整合を実現する電極構造を設計した．今回，設計したスローウェーブ電極を実際に作製・測定し，等価回路モデルを構築することで，変調器の高周波特性を解析した．その結果，1~2 mm程度の短尺なデバイスにおいて，最大300 Gbpsでの動作が期待されることを明らかにした．