[C-3_C-4] 光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス

11:15 〜 11:30学術奨励賞候補対象

[C-3_C-4-36] 小片接合により異なる構造のSOAを集積したInP/Si波長可変レーザ

◎藤方 秀成¹、平谷 拓生¹、小松 憲人¹、井上 尚子¹、藤原 直樹¹、菊地 健彦^1,2、御手洗 拓矢^1,2、木村 峻¹、勝山 造²、西山 伸彦²、八木 英樹¹ (1. 住友電工、2. 東京科学大)

キーワード：

異種材料集積、シリコンフォトニクス、波長可変レーザ、半導体光増幅器

InP/Si異種材料集積技術を用いたアクティブ素子の多チャネル集積は, 10 Tbps級大容量伝送と低消費電力の両立に向けて有望な手法の一つである. 多チャネル集積を実現するためには, 変調器の挿入損失を補償する複数の半導体光増幅器(SOA)を, 光回路内の各所に集積する必要がある. 我々はこれまで, 異なるエピタキシャル構造を有するInP小片を, Si光回路内の任意の位置に接合し集積できる, 小片接合技術を開発してきた. 今回, 小片接合技術を用いて, 二種類の構造の異なるSOAを集積したC帯向け波長可変レーザを作製し, 複数のSOAの一体集積を実証したので報告する.