[C-6] 電子部品・材料

10:45 〜 11:00

[C-6-04] Li₂Oドープアモルファスカーボンのドーピング濃度依存性

〇羽二生 駿太¹、矢島 賢土¹、石川 博康¹ (1. 芝浦工業大学)

キーワード：

半導体、アモルファスカーボン、薄膜

アモルファスカーボン(a-C)はsp²/sp³結合比によってバンドギャップを0.2~3.0 eVの範囲で制御可能な半導体材料であり、太陽電池用光吸収層として期待される。一方で高抵抗率、低光導電性、導電型制御の困難さが課題である。本研究ではLi₂Oドーピングによってp型伝導を示すa-C薄膜試料を安定して得られたことから、Li₂Oドープ率がa-C薄膜の構造、光学特性および電気特性に及ぼす影響を調べ、p型伝導発現との関係を検討した。
RFマグネトロンスパッタ法によりLi₂Oをモル比で0.1~2%ドープした試料を作製し評価を行った。