[2H01-04] 半導体・集積回路

10:00 〜 10:15

[2H01-04-01] 4H-SiC-MOSFETの高性能化のためのゲート絶縁膜形成プロセスと電気特性評価に関する研究

*沖 竜徳¹、櫻庭 政夫^1,2、佐藤 茂雄^1,2 (1. 東北大学大学院工学研究科、2. 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設)