セッション詳細
[2H01-04]半導体・集積回路
2024年8月30日(金) 10:00 〜 11:00
H会場(K325)
座長:青木 英恵(東北大学)
[2H01-04-01]4H-SiC-MOSFETの高性能化のためのゲート絶縁膜形成プロセスと電気特性評価に関する研究
*沖 竜徳1、櫻庭 政夫1,2、佐藤 茂雄1,2 (1. 東北大学大学院工学研究科、2. 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設)
[2H01-04-02]酸化亜鉛薄膜の作製
*扇田 英寿1、赤松 笙太1、佐々木 崇徳1、石山 武1 (1. 八戸工業大学大学院)
[2H01-04-03]多結晶Si基板上に成長したGaN系ナノ柱状結晶LED群の電流－電圧特性による評価
*苟 書航1、薛 后耀1、齋藤 翼1、佐藤 祐一1 (1. 秋田大学)
[2H01-04-04]実用的モデルパラメータを用いた各種高効率整流回路の比較検討
*佐藤 拓実1、小宮山 崇夫1、長南 安紀1、山口 博之1、小谷 光司1 (1. 秋田県立大学)