[2A01-06] Neutron Measurement

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[2A06] Evaluation of neutron detection characteristics using long wavelength neutron for BGaN detectors grown on Si and QST substrate

*Kosuke Ando¹, Masahiro Hino², Yoshio Honda³, Hiroshi Amano³, Kota Matsumoto⁴, Norikazu Ito⁴, Taketoshi Tanaka⁴, Ken Nakahara⁴, Toru Aoki¹, Takayuki Nakano¹ (1. Shizuoka Univ., 2. Kyoto Univ., 3. Nagoya Univ., 4. ROHM Co., Ltd.)

Keywords:

BGaN,Neutron semiconductor detector,Neutron imaging,Compound semiconductor

大きな中性子捕獲断面積を有するB原子が構成元素に含まれるBGaNが新規中性子検出材料として提案されている。これまでの研究では、作製が容易であるが大口径化が難しいサファイア基板上にBGaNデバイスの作製を行い、中性子検出特性を評価していた。本研究では大口径化に着目し、大口径化が容易なSiおよびQST基板上にBGaNデバイスの作製を実施した。作製したデバイスの中性子検出特性をC3-1-2ポート(JRR-3)にて評価した。