[2A01-06] 中性子計測

11:30 〜 11:45

[2A06] Si基板およびQST基板上に作製したBGaN検出器に対する長波長中性子を用いた中性子検出特性評価

*安藤 光佑¹、日野 正裕²、本田 善央³、天野 浩³、松本 倖汰⁴、伊藤 範和⁴、田中 岳利⁴、中原 健⁴、青木 徹¹、中野 貴之¹ (1. 静岡大学、2. 京都大学、3. 名古屋大学、4. ローム株式会社)

キーワード：

BGaN、中性子半導体検出器、中性子イメージング、化合物半導体

大きな中性子捕獲断面積を有するB原子が構成元素に含まれるBGaNが新規中性子検出材料として提案されている。これまでの研究では、作製が容易であるが大口径化が難しいサファイア基板上にBGaNデバイスの作製を行い、中性子検出特性を評価していた。本研究では大口径化に着目し、大口径化が容易なSiおよびQST基板上にBGaNデバイスの作製を実施した。作製したデバイスの中性子検出特性をC3-1-2ポート(JRR-3)にて評価した。