[S2] Materials Science and high temperature processing of widegap materials 2

12:45 PM - 1:25 PM JST(3:45 AM - 4:25 AM UTC)

[S2.1] [Keynote Lecture] Single crystal growth and defect reduction in wide band gap semiconductor SiC

*Ohtani Noboru¹ (1. Kwansei Gakuin Univ., School of Sci. and Technol.)

Keywords:

炭化ケイ素,単結晶成長,転位,積層欠陥,パワー半導体

パワーデバイス用材料として期待されているワイドギャップ半導体SiCの単結晶製造及びそのパワーデバイス応用の現状を概説するとともに、SiC単結晶中の拡張欠陥に関する最近のトピックスについて紹介する。