[S2] ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシング 2

12:45 〜 13:25

[S2.1] [基調講演] ワイドギャップ半導体SiCの単結晶成長と拡張欠陥の低減

*大谷 昇¹ (1. 関学大理工)

キーワード：

炭化ケイ素、単結晶成長、転位、積層欠陥、パワー半導体

パワーデバイス用材料として期待されているワイドギャップ半導体SiCの単結晶製造及びそのパワーデバイス応用の現状を概説するとともに、SiC単結晶中の拡張欠陥に関する最近のトピックスについて紹介する。