[S2] Materials Science and high temperature processing of widegap materials 2

5:15 PM - 5:35 PM JST(8:15 AM - 8:35 AM UTC)

[S2.10] Influencing factors on solution growth of AlN using Cr-Ni solvent

Shinichiro Kurosaka¹, *FUKUDA Atsushi¹, Taka Narumi², Sakiko Kawanishi³, Takeshi Yoshikawa¹ (1. IIS U.Tokyo, 2. IIS U.Tokyo (Present:Kyoto University), 3. IMRAM Tohoku University)

Keywords:

溶液成長,AlN,高ワイドギャップ半導体

AlNは深紫外光素子材料として応用が進んでいる。AlN単結晶のCr-Ni系合金溶媒に用いた溶液成長における、種結晶のサファイア基板の結晶面のAlNの成長挙動への寄与と、溶液中Al、窒素濃度の変化について報告する。