[S2] ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシング 2

17:15 〜 17:35

[S2.10] Cr-Ni溶媒を用いたAlNの溶液成長における諸因子

黒坂 真一朗¹、*福田 敦¹、鳴海 大翔²、川西 咲子³、吉川 健¹ (1. 東大生研、2. 東大生研（現：京大）、3. 東北大多元研)

キーワード：

溶液成長、AlN、高ワイドギャップ半導体

AlNは深紫外光素子材料として応用が進んでいる。AlN単結晶のCr-Ni系合金溶媒に用いた溶液成長における、種結晶のサファイア基板の結晶面のAlNの成長挙動への寄与と、溶液中Al、窒素濃度の変化について報告する。