[S2] Materials Science and high temperature processing of widegap materials 2

1:45 PM - 2:05 PM JST(4:45 AM - 5:05 AM UTC)

[S2.3] Interface reconstruction on 4H-SiC (000-1) in the Si-Cr based solution

YAO Yuchuan¹, YOSHIDA kaho¹, *YOSHIKAWA Takeshi¹, CHAUSSENDE Didier² (1. Institute of Industrial Science, U. Tokyo, 2. Grenoble－Alpes Univ.-CNRS)

Keywords:

SiC,溶液成長,界面制御,ステップ

Si合金溶媒を用いた高温溶液成長法による4H-SiC結晶育成におけるステップバンチングの制御へ向け、ステップの動的挙動を調査する界面再構成手法を用い、Si-Cr系溶液中ステップバンチング挙動の調査を行った。