[S2] ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシング 2

13:45 〜 14:05

[S2.3] Si-Cr溶液中4H-SiC(000-1)における界面再構成

Yuchuan YAO¹、吉田 果歩¹、*吉川 健¹、Didier CHAUSSENDE² (1. 東大生研、2. Grenoble－Alpes Univ.-CNRS)

キーワード：

SiC、溶液成長、界面制御、ステップ

Si合金溶媒を用いた高温溶液成長法による4H-SiC結晶育成におけるステップバンチングの制御へ向け、ステップの動的挙動を調査する界面再構成手法を用い、Si-Cr系溶液中ステップバンチング挙動の調査を行った。