[S2] Materials Science and high temperature processing of widegap materials 2

2:40 PM - 3:20 PM JST(5:40 AM - 6:20 AM UTC)

[S2.5] [Keynote Lecture] Operando X-ray topography method in 4H-SiC MOSFETs to investigate stacking fault expansion

*SHIMA AKIO¹, KONISHI KUMIKO¹, FUJITA RYUSEI¹, KOBAYASHI KEISUKE¹, YONEYAMA AKIO¹, MORI YUKI¹ (1. Research & Development Group, Hitachi, Ltd.)

Keywords:

SiC,MOSFET,基底面転位,積層欠陥,オペランド,X線トポグラフィー

SiC MOSFET 内蔵PNダイオード動作中の、SiC基底面転位(BPD)の積層欠陥(SF)への拡張メカニズムの解明に向け、積層欠陥の拡張を動的に直接観察する手法としてオペランドX線トポグラフィ法を開発した。