講演情報
[S2.5][基調講演] オペランドX線トポグラフィー法を用いた動作中SiC MOSFET内における積層欠陥拡張の観察
*島 明生1、小西 くみこ1、藤田 隆誠1、小林 慶亮1、米山 明男1、毛利 友紀1 (1. (株)日立製作所 研究開発グループ)
キーワード：
SiC、MOSFET、基底面転位、積層欠陥、オペランド、X線トポグラフィー
SiC MOSFET 内蔵PNダイオード動作中の、SiC基底面転位(BPD)の積層欠陥(SF)への拡張メカニズムの解明に向け、積層欠陥の拡張を動的に直接観察する手法としてオペランドX線トポグラフィ法を開発した。