Presentation Information
[S2.6]Direct measurements of stacking fault energy in 4H-SiC by in-situ X-ray topography at high temperatures
FUJIE Fumihiro1, *HARADA Shunta1,2, UJIHARA Toru1,2,3 (1. 名大工、2. 名大未来研、3. 産総研GaN-OIL)
Keywords:
SiC,積層欠陥,パワーデバイス,X線トポグラフィー
X線トポグラフィーその場観察から、SiC結晶中の部分転位の曲率を測定することにより、ダブルショックレー型積層欠陥の積層欠陥エネルギーの定量評価を行った。