[S2] ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシング 2

15:20 〜 15:40

[S2.6] X線トポグラフィー高温その場観察による4H-SiC結晶における積層欠陥エネルギーの直接測定

藤榮 文博¹、*原田 俊太^1,2、宇治原 徹^1,2,3 (1. 名大工、2. 名大未来研、3. 産総研GaN-OIL)

キーワード：

SiC、積層欠陥、パワーデバイス、X線トポグラフィー

X線トポグラフィーその場観察から、SiC結晶中の部分転位の曲率を測定することにより、ダブルショックレー型積層欠陥の積層欠陥エネルギーの定量評価を行った。