[S2] Materials Science and high temperature processing of widegap materials 2

3:40 PM - 4:00 PM JST(6:40 AM - 7:00 AM UTC)

[S2.7] Control of Nucleation of 3C-SiC by using Periodic Step Structures of 6H-SiC

*KAWANISHI Sakiko¹, WATANABE Ryo², SHIBATA Hiroyuki¹ (1. Tohoku Univ., 2. Tohoku Univ. (Present: ClassNK))

Keywords:

SiC,溶液成長,核生成

著者らは双晶フリーの3C-SiCの育成に向け、6H-SiCの周期ステップ構造を利用した3C-SiCの核生成の制御を目指している。結晶育成時の過飽和度が核生成に及ぼす影響ならびに6H/3C界面の構造を調査した結果を報告する。