[S2] ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシング 2

15:40 〜 16:00

[S2.7] 6H-SiCの周期ステップ構造を利用した3C-SiCの核生成制御

*川西 咲子¹、渡邊 遼²、柴田 浩幸¹ (1. 東北大多元研、2. 東北大多元研(現: 日本海事協会))

キーワード：

SiC、溶液成長、核生成

著者らは双晶フリーの3C-SiCの育成に向け、6H-SiCの周期ステップ構造を利用した3C-SiCの核生成の制御を目指している。結晶育成時の過飽和度が核生成に及ぼす影響ならびに6H/3C界面の構造を調査した結果を報告する。