[G] Electric/Electronic/Optical Materials

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[268] Preparation of Ti-doped α-Fe₂O₃ thin films by sputtering

*Seishi ABE¹ (1. Research Institute for Electromagnetic Materials)

Keywords:

無機材料,薄膜,鉄酸化物,ドーピング,電気抵抗率

比較的低濃度のTiを添加した表記の薄膜について検討を行った。その結果、無添加の電気抵抗率は測定範囲を超える高抵抗であるのに対し、Ti濃度の増加と共に減少する傾向を示す。