[S9] S9 Materials Science and high temperature processing of widegap materials III

1:00 PM - 1:40 PM JST(4:00 AM - 4:40 AM UTC)

[S9.4] [Keynote Lecture] Understanding of transport phenomena in TSSG process of SiC crystal growth by CFD and its optimization by AI

*Okano Yasunori¹, Takehara Yuto² (1. Osaka Univ., 2. Osaka Univ.)

Keywords:

Numerical Simulation,AI,SiC,TSSG,Optimization

TSSG法におけるSiC結晶作製時の移動現象の関する数値解析とAIを用いた最適化に関する演者らの最近の成果について報告する。