Presentation Information

1:40 PM - 2:00 PM JST(4:40 AM - 5:00 AM UTC)

[S9.5]6 inch SiC bulk crystal grown by solution method aided by ML technology

*Toru Ujihara^1,2,3,4, Can Zhu¹, Yosuke Tsunooka¹, Koki Suzuki¹, Wangchen Yu¹, Xinbo Liu, Yifan Dang, Tomoaki Furusho¹, Masaru Isono¹, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada¹, Miho Tagawa¹ (1. Nagoya Univ., 2. RIKEN, 3. AIST, 4. UJ-Crystal)

Keywords:

結晶成長,SiC,機械学習,プロセス・インフォマティクス

我々は長年溶液成長による高品質SiC結晶成長技術の開発を行い、最近では、6インチの結晶成長も実現している。これには機械学習技術を用いたいわゆるプロセス・インフォマティクスによるプロセス開発を活用している

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