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2:00 PM - 2:20 PM JST(5:00 AM - 5:20 AM UTC)

[S9.6]Reduction of TSDs in 4H-SiC crystals grown by a hybrid method combined with solution growth and PVT growth on higher off-angle seeds

*Takeshi Mitani¹, Kazuma Eto¹, Kenji Momose², Tomohisa Kato¹ (1. AIST, 2. Showa Denko)

溶液成長,転位変換,貫通らせん転位,昇華再結晶成長,ハイブリッド成長

4H-SiC結晶に対し溶液法と昇華法を組み合わせたハイブリッド成長技術を検討し、高オフ角基板を用いることで貫通らせん転位を効果的に低減できることを見出したので報告する。