[S9] S9 ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングIII

14:00 〜 14:20

[S9.6] 高オフ角基板を用いた溶液法／昇華法のハイブリッド技術による貫通らせん転位を大幅に低減した4H-SiCバルク結晶成長

*三谷 武志¹、江藤 数馬¹、百瀬 賢治²、加藤 智久¹ (1. 産総研、2. 昭和電工)

キーワード：

溶液成長、転位変換、貫通らせん転位、昇華再結晶成長、ハイブリッド成長

4H-SiC結晶に対し溶液法と昇華法を組み合わせたハイブリッド成長技術を検討し、高オフ角基板を用いることで貫通らせん転位を効果的に低減できることを見出したので報告する。