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3:30 PM - 3:50 PM JST(6:30 AM - 6:50 AM UTC)

[S8.5]Suppression of SiC macro-defects in solution growth under the condition saturated with SiC

*Takeshi Mitani¹, Sakiko Kawanishi², Didier CHAUSSENDE³, Takeshi Yoshikawa⁴ (1. AIST, 2. Tohoku U., 3. CNRS-SIMaP, 4. U. Tokyo)

SiC,溶液成長,SiC飽和,SiCインクルージョン

溶液成長成ではSiC微結晶が成長層にインクルージョンとして取り込まれてしまう問題がある。本研究ではSiCるつぼから原料供給するSiC飽和条件での溶液成長によってSiCインクルージョンの抑制に成功したので報告する。