[S8] S8.Materials Science and high temperature processing of widegap materials IV

3:50 PM - 4:10 PM JST(6:50 AM - 7:10 AM UTC)

[S8.6] High bulk density SiC fabrication by reactive infiltration of Si into SiC/C tablets

*SOTA IKARASHI¹, SAKIKO KAWANISHI², TAKESHI MITANI³, Chaussende Didier⁴, TAKESHI YOSHIKAWA⁵, HIROYUKI SHIBATA² (1. Tohoku Univ., 2. Tohoku Univ., 3. AIST, 4. CNRS-SIMaP, 5. Univ. Tokyo)

Keywords:

反応性含浸,SiC溶液成長

SiCの単結晶育成法である溶液成長法では、溶液保持用にSiC材料が必要である。SiC材料の作製方法としてC/SiC混合圧粉体へのSiの反応性含浸を利用し、高かさ密度のSiCが生成する条件について調査を行った。