講演情報
[S8.6]SiC/C圧粉体へのSiの反応性含浸による高かさ密度SiC作製
*五十嵐 壮太1、川西 咲子2、三谷 武志3、Didier Chaussende4、吉川 健5、柴田 浩幸2 (1. 東北大工(院生)、2. 東北大多元研、3. 産業技術総合研究所、4. CNRS-SIMaP、5. 東大生研)
キーワード：
反応性含浸、SiC溶液成長
SiCの単結晶育成法である溶液成長法では、溶液保持用にSiC材料が必要である。SiC材料の作製方法としてC/SiC混合圧粉体へのSiの反応性含浸を利用し、高かさ密度のSiCが生成する条件について調査を行った。