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4:40 PM - 5:00 PM JST(7:40 AM - 8:00 AM UTC)

[S8.8]Theoretical study of growth rate during growth of SiC solution using Gibbs-Thomson solvent

*Tomoyuki KASHIMURA¹, Takeshi YOSHIKAWA¹, Hitoshi MIURA² (1. U. Tokyo, 2. Nagoya City Univ.)

SiC,Gibbs-Thomson溶媒,エピタキシャル成長,数値計算

著者らは，SiC微粒子分散溶媒を利用したSiCの高速液相エピタキシャル成長法の検討を進めている。本研究では微粒子の溶解・成長過程と、合金溶媒中での成分の拡散過程の交互解析モデルにより成長機構を検討した．